Intel předvedl SRAM vyrobenou 65nm technologií

31. 8. 2004 00:03    Rubrika: Krátké zprávy    Autor: Josef Šonka

Přes mnohé nepříznivé předpovědi Moorův zákon stále žije: Intel představil SRAM čip vyrobený druhou generací technologie Strained Silicon s 65nm výrobním procesem. Ta mu umožní zmenšit plochu jádra a s ní i tepelné emise o zhruba 30% oproti současné, 90nm technologii. Pro představu - dle tvrzení Intelu se 10 miliónů tranzistorů vyrobených touto technologií vejde na plochu velikou asi jako hrot kuličkového pera.

Největší konkurent Intelu na poli procesorů pro PC, firma AMD, teprve nyní přechází na 90nm technologii výroby (téměř rok po Intelu); to Intel ve svých propagačních materiálech pochopitelně nemohl také nezmínit ;).

Intel prohlásil, že se jedná o potvrzení Moorova zákona - Gordon Moore totiž v roce 1965 prohlásil, že se počet transitorů na čipu zdvojnásobí každých 18 měsíců (v původním znění je 12 měsíců, to se však již v současné době dodržet nepodařilo); toto tvrzení platí víceméně dodnes, i když má díky fyzikálním zákonitostem špatné vyhlídky do budoucna. Avšak hranice výrobních procesů se oproti některým prognózám stále posouvají...

První sériové výrobky s 65nm technologií by měly spatřit světlo světa příští rok.