NAND paměti vytlačí harddisky

13. 9. 2005 00:26    Rubrika: Krátké zprávy    Autor: Josef Šonka

... alespoň takto to tvrdí Chang-Gyu Hwang, CEO Samsungu. "Shodou okolností" je Samsung také světovým leaderem v produkci NAND flash pamětí :-).

Společnosti se totiž podařilo vyrobit 16Gb NAND paměťové zařízení pomocí 50nm procesu. Jedna paměťová buňka s kapacitou 1 bit zabírá v takové paměti místo o rozloze 0.00625 mikronů čtverečních! Díky tomu lze vyrábět paměti s vyšší kapacitou a paměťové karty tak prý vytlačí všechny současné typy úložného prostoru. První na řadě postupující NAND revoluce budou telefony, PDA a notebooky.

Masová produkce těchto pamětí se očekává v druhé polovině příštího roku a kapacita jimi vybavených karet dosáhne až 32GB.

Čeká nás tedy asi opravdu revoluce v záznamu dat. Paměti NAND můžeme již nyní potkávat v paměťových kartách typu SD a CF. Jejich výhodami jsou vysoké rychlosti, uchovávání dat i bez elektrického proudu a hlavně odolnost oproti otřesům (největší slabina pevných disků, které mají mechanické součásti), nevýhodou je omezený počet přepisovacích cyklů (maximálně cca. 1000x).

zdroj: The Inquirer