Intel vyvíjí ultra-nízkonapěťovou odnož 65 nm výrobního postupu
21. 9. 2005 15:13 Rubrika: Tiskové zprávy
Společnost Intel vyvíjí ultra-nízkonapěťovou odnož 65nanometrového (nm) výrobního postupu, který umožní produkci energeticky velmi nenáročných čipů pro mobilní platformy a rozměrově malá zařízení. Ultra-nízkonapěťový proces bude druhá 65nm výrobní technologie společnosti Intel.
Špičkový 65nm (nanometr je jedna miliardtina metru) výrobní proces společnosti Intel přináší nižší spotřebu energie a vyšší výkon než současný 90nm proces, který patří v odvětví mezi nejvyspělejší. Nový ultra-nízkonapěťový 65nm výrobní proces konstruktérům čipů Intel otevírá další možnosti v oblasti hustoty, výkonu a spotřeby vyžadované uživateli zařízení provozovaných na baterie.
„Lidé si obvykle vybírají mobilní platformy, které mají nejdelší provoz na baterie,“ říká Mooly Eden, viceprezident a general manager Mobile Platforms Group společnosti Intel. „Pro tuto skupinu produktů náš nový ultra-nízkonapěťový výrobní proces znamená velký krok vpřed. Připravíme nové mobilní platformy, které využijí oba 65nm výrobní postupy.“
Jedním z faktorů přispívajících ke snížení spotřeby čipu, tolik důležité pro mobilní
a bateriově napájené přístroje, je způsob konstrukce tranzistoru. Elektrické ztráty v těchto mikroskopických tranzistorech ve vypnutém stavu, nebo-li svodový proud, jsou problémem celého průmyslu.
„Vzhledem k tomu, že počet tranzistorů v některých čipech přesahuje jednu miliardu, je jasné, že drobné vylepšení jednotlivých tranzistorů se znásobí do ohromných přínosů pro celý produkt,“ říká Mark Bohr, senior fellow a ředitel Process Architecture and Integration společnosti Intel. „Testovací čipy vyrobené ultra-nízkonapěťovou 65nm technologií Intel vykazují zhruba tisícinásobné snížení svodových proudů oproti produktům vyráběným standardními postupy. To bude pro uživatele zařízení založených na této technologii znamenat významné energetické úspory.“
Nová 65nm ultra-nízkonapěťová výrobní technologie
Ultra-nízkonapěťová 65nm výrobní technologie Intel zahrnuje řadu důležitých modifikací tranzistorů, které přináší energetické úspory i při špičkovém výkonu. Tyto úpravy tranzistorů povedou k významnému omezení tří klíčových zdrojů ztrát, což je podprahový svod, svod na vedení a na hradle. Omezení úniku proudu v tranzistoru povede k nižší spotřebě a delšímu provozu na baterie.
O 65nm výrobní technologii
Nové 65nm postupy Intel spojují výkonnější a energeticky méně náročné tranzistory, druhou generaci roztaženého křemíků Intel, osm vysokorychlostních měděných propojovacích vrstev a low-k dielektrický materiál. Konstrukce čipů pomocí 65nm procesu společnosti Intel umožní zdvojnásobení počtu tranzistorů, které lze zabudovat do jednoho čipu (při použití 90nm technologie Intel).
Pomocí 65nm procesu bude Intel vyrábět tranzistory s délkou hradla pouhých 35 nm, které se stanou nejmenším a nejvýkonnějším CMOS tranzistory v masové produkci. Pro srovnání, nejpokročilejší dnes vyráběné tranzistory, které najdeme v procesorech Intel® Pentium® 4 měří 50 nm. Malé a rychlé transistory jsou základní prvek velmi rychlých procesorů.
Společnost Intel do 65nm procesu začlenila druhou generaci vysoce výkonného roztaženého křemíku. Roztažený křemík má vyšší budicí proud, rychlejší spínání tranzistoru
a přitom pouze o dvě procenta vyšší výrobní náklady.
Další informace o technologiích Intel viz www.intel.com/technology.
