Intel a Micron chystají výrobu NAND flash pamětí

12. 11. 2006 23:14    Rubrika: Tiskové zprávy

Společnosti Intel a Micron ohlašují předstih příprav společného podniku na výrobu NAND flash pamětí u IM Flash Technologies.

TISKOVÁ ZPRÁVA – v původním znění

Od představení společného podniku IM Flash v lednu tohoto roku společnosti uvedly do provozu špičkový 300milimetrový (mm) NAND výrobní závod v Manassas, Virginia. Spuštění další 300mm továrny v Lehi, Utah, se připravuje na začátek příštího roku. Společný podnik zároveň vyrábí NAND paměti ve stávajícím závodě v Micron’s Boise, Idaho.

Kromě toho společnosti Micron a Intel představily v červenci první vzorek NAND flash paměti vyrobený 50nanometrovou (nm) výrobní technologií. Obě společnosti nyní nabízejí vzorky 4gigabitových 50nm paměťových modulů a na počátek příštího roku připravují velkoobjemovou výrobu celé řady produktů, včetně zařízení s vícevrstvou NAND technologií.

Společnosti Intel a Micron dále ohlásily záměr založit společný podnik v Singapuru, který rozšíří kapacity výroby NAND flash pamětí o čtvrtý závod. Nyní probíhají závěrečné fáze přípravy společného podniku. Výroba ve společném singapurském závodě by se měla rozjet ve druhé polovině roku 2008, a to na 50nm výrobní technologii na 300mm plátcích. Výstavba by v Singapuru měla začít v první polovině příštího roku.