Toshiba představí 16 gigabitovou flash paměť NAND s 56 nanometrovou technologií

6. 2. 2007 20:16    Rubrika: Tiskové zprávy

Společnost Toshiba potvrzuje své vedoucí postavení v oblasti vývoje a výroby výkonných flash pamětí NAND s vysokou hustotou a ohlásila dnes uvedení 16 Gb (2 gigabyte) a 8 Gb (1 gigabyte) flash pamětí NAND vyrobených pomocí nejnovější 56 nanometrové technologie zpracování vyvinuté ve spolupráci se společností SanDisk Corporation z Milpitas v Kalifornii (USA). Celková hodnota 16 Gb je nejvyšší hustota, kterou se doposud u jednočipových flash pamětí typu NAND podařilo dosáhnout.

TISKOVÁ ZPRÁVA - v původním znění

Společnost Toshiba postupuje od omezené výroby konstrukčních vzorků, která probíhala od konce roku 2006, a v současné době zvyšuje objem dodávek komerčních vzorků nových jednočipových NAND flash pamětí s hustotou 8 Gb (1 gigabyte) a technologií MLC (multi-level cell – víceúrovňové buňky), které mají v současné době nejběžnější hustotu – vzorky jsou k dostání ode dneška. Společnost Toshiba má v úmyslu zahájit dodávky komerčních vzorků 16 Gb (2 gigabyte) NAND flash pamětí koncem prvního čtvrtletí tohoto roku.

Uplatnění technologie MLC a vylepšená účinnost programování umožňuje novým čipům dosahovat vyšší hustoty a výkonnosti zápisu. Díky aplikaci 56 nm technologie zpracování je možné dosáhnout čipu s hustotou 16 Gb, což je dvojnásobná hustota paměti v jednom čipu, který měl při použití 70 nm technologie hustotu 8 Gb, a znamená tak dosud nejvyšší hustotu jednočipových flash pamětí NAND. Rychlost zápisu 10 megabyte za sekundu, čili dvojnásobku než u současných produktů společnosti Toshiba s technologií MLC, je odrazem efektivity dosažené díky vyspělé technologii zpracování a zdvojnásobení velikosti stránkování, čili množství dat, které je možné zapsat najednou, z 2.112 byte na 4.314 byte.

Díky kombinaci vyspělého zpracování a technologie MLC, ve spojení s neustálými pokroky v produktivitě výroby, má společnost Toshiba v úmyslu zvýšit konkurenceschopnost s ohledem na náklady a uspokojit poptávku trhu v oblasti flash pamětí typu NAND.

Přehled nových produktů:
označení produktu: TC58NVG3D1DTG00
hustota: 8 Gb
dodávky vzorků: leden 2007
zahájení sériové výroby: leden 2007

označení produktu: TC58NVG4D1DTG00
hustota: 16 Gb
dodávky vzorků: konec 1.čtvrtletí 2007
zahájení sériové výroby: začátek 2. čtvrtletí 2007

Poznámka: Uvedená označení produktů platí pro japonský trh.

Hlavní vlastnosti nových produktů
1) Uplatnění nejnovější 56 nanometrové technologie zpracování a technologie MLC zvyšuje hustotu paměťových buněk na 16 Gb, což představuje dvojnásobek na jeden čip v porovnání s flash paměťmi typu NAND společnosti Toshiba, které byly vyráběny pomocí 70 nm technologie a dosahovaly hustoty 8 Gb.

2) Pokroky ve výkonnosti technologie programování ve spojení s účinností vyspělé technologie zpracování umožňují dosáhnout rychlosti zápisu 10 megabyte za sekundu, což je dvojnásobná rychlost oproti současným pamětím MLC NAND společnosti Toshiba. Mezi hlavní pokroky patří:
- Velikost stránky pro jednorázový zápis je zdvojnásobena ze 2.112 byte na 4.314 byte.
- Využití funkce vyrovnávací paměti pro zápis (write-cache), která dosahuje krátkých cyklů zápisu díky zkrácení prodlev při zpracování dat.

Hlavní technické údaje

Označení: TC58NVG3D1DTG00, TC58NVG4D1DTG00
Velikost paměti: 8 gigabit, 16 gigabit
Napájení: Vcc=2,7-3,6 V
Velikost stránkování: 4096+218 byte
Doba programování: 800 mikrosekund na stránku, typicky
Doba mazání: 2 milisekundy na blok, typicky
Přístupové doby: 50 mikrosekund první přístup (maximum)
30 nanosekund sériový přístup (minimum)
Balení: 48-pin TSOP Type I
Vnější rozměry: 12 x 20 x 1,2 mm