Intel a Micron - NAND flash paměť

6. 2. 2008 17:02    Rubrika: Tiskové zprávy

Nová vysokorychlostní NAND technologie je určená pro výpočty, zpracování videa či fotografií a další uživatelské aplikace.

TISKOVÁ ZPRÁVA - v původním znění

Společnosti Intel Corporation a Micron Technology Inc. představily vysokorychlostní NAND flash paměť. Ta dokáže výrazně zrychlit ukládání a přenos dat v zařízeních, která pro práci s daty používají křemík. Nová technologie se bude vyrábět ve společném podniku obou firem IM Flash Technologies (IMFT).

Nová technologie NAND flash je pětkrát rychlejší než konvenční NAND a umožňuje přenos dat ve zlomku času oproti ostatním technologiím. Novou technologii lze využít při výpočetních operacích, zpracovávání videa či fotografií, i dalších aplikacích.

Nová vysokorychlostní technologie NAND může dosáhnout rychlosti až 200 MB/s pro čtení dat a 100 MB/s pro jejich zápis. Takových rychlostí lze dosáhnout díky využití nové specifikace ONFI 2.0 a takzvané “four-plane” architektury, která běží na rychlejších taktovacích frekvencích.

Pro srovnání, konvenční buňka NAND první úrovně dosahuje limitu 40 MB/s pro čtení dat a pro zápis dat méně než 20 MB/s.

Více informací o vysokorychlostní NAND technologii naleznete zde: www.micron.com/highspeednand.