Panasonic a Renesas Technology - spolupráce

6. 11. 2008 14:20    Rubrika: Tiskové zprávy

Společnosti budou spolupracovat na vývoji technologie tranzistoru a LSI za účelem dosažení energeticky úsporného provozu a vysokorychlostního zpracování signálu

TISKOVÁ ZPRÁVA - v původním znění

Společnosti Panasonic Corporation a Renesas Technology se rozhodly navázat na úspěšnou desetiletou spolupráci v oblasti vývoje nových technologií
a společně se podílejí na vývoji nové 32nm výrobní technologie pro čip SoC. Obě společnosti věří, že jejich technologie 32nm tranzistoru bude záhy implementována do masové výroby.

Očekává se, že SoC ve verzi 32nm nabídne podstatně nižší náklady a zároveň vyšší výkon, který bude umožněn výraznou miniaturizací. Než bude možné tuto technologii uvést na trh, bude třeba vyřešit dílčí úkoly. A to například úniky přes hradla a nekonzistentní napětí, které často sužují současné technologie.
Nový 32nm SoC používá zcela nově vyvinutou tranzistorovou technologii postavenou na struktuře metal/high-k(1) a propojovací technologii využívající materiálu ultra-low-k(2). Aby bylo možné vyrobit přístroj, jenž bude používat doplňkovou technologii CMIS(3), a typ doplňkových CMOS, ve 32nm nodu, je třeba aplikovat za optimalizovaných podmínek velice jemnou vrstvu(4) fólie na úrovni atomů na tranzistory o struktuře metal/high-k. To následně umožňuje vyvinout konvenční tranzistorovou konfiguraci a použít jako izolační vrstvu brány oxidované křemičité fólie. Ukázalo se, že povrchová vrstva zvyšuje spolehlivost tranzistorů v praktickém použití a zabraňuje distribuci elektrických nepravidelností mezi tranzistory, čímž umožňuje provoz větších obvodů.

Oba partneři úzce spolupracovali na vývoji nové generace technologie SoC ještě před založením společnosti Renesas Technology. Jejich dosavadní spolupráce již přinesla vynikající výsledky: v roce 2001 byl vyvinut kompozitní proces 130nm DRAM, v roce 2002 90nm SoC, v roce 2004 kompozitní proces 90nm DRAM, v roce 2005 65nm SoC a v roce 2007 45nm SoC.

Poslední novinka ve formě 32nm bude aplikována na SoC pro technologicky vyspělé mobilní zařízení a digitální domácí spotřebiče.

Poznámky:
1. Metal/high-k: Typ tranzistoru řízeného polem, v němž terminály a izolátory brány jsou v konfiguraci stack. Terminály brány jsou vyrobeny z kovu, izolátory z materiálu high-k. Nejčastěji používaným high-k materiálem je hafnium.
2. Ultra-low k: Materiál s extrémně nízkou propustností, a to i v porovnání s jinými nízko propustnými materiály používanými při izolaci.
3. CMIS: Typ doplňkového tranzistoru řízeného polem, v němž jsou terminály bran odděleny elektricky izolační fólií. V tranzistorech CMOS jsou izolační vrstvy CMIS brány vyrobeny z oxidovaného křemíku.
4. Ultra tenká vrstva fólie: ultra-tenká vrstva, jejímž účelem je upravovat prahovou hodnotu tranzistoru. To přispívá k vyšší spolehlivosti tranzistoru a pomáhá potlačovat výkyvy elektrického napětí.